消息称铠侠 7 月内启动 1Tb 版 218 层 BiCS8 3D NAND 闪存量产

由铠侠和西部数据联合研发的 BiCS8 闪存于 2023 年 3 月发布，其堆叠层数达到 218 层，引入了 CBA (CMOS directly Bonded to Array) 外围电路直接键合到存储阵列技术。

这一设计将外围短路和单元存储阵列划分在不同晶圆上单独制造，可提供更高的位密度的更快的 NAND I/O 速度。

铠侠-西部数据联盟在 BiCS8 闪存上规划了多款产品。除首发的 1Tb TLC 和 1Tb QLC 外，铠侠昨 (3) 日宣布面向高存储密度设备的 2Tb QLC 版 BiCS8 闪存也已出样。

铠侠-西部数据联盟未来还将进一步扩大闪存生产规模：

双方已决定投资 7290 亿日元（哈迈百科备注：当前约 328.71 亿元人民币）扩建在三重县四日市和岩手县北上市联合运营的晶圆厂，用于生产 BiCS 8/9 两代闪存。

日本政府将给予投资额 1/3 的补贴支持。新建设的产能将于 2025 年 9 月开始出货。